- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 25/06 - Croissance d'une couche épitaxiale par pulvérisation réactive
Détention brevets de la classe C30B 25/06
Brevets de cette classe: 57
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Mitsubishi Materials Corporation | 2378 |
4 |
Qorvo US, Inc. | 2018 |
4 |
Canon Anelva Corporation | 676 |
3 |
Industrial Technology Research Institute | 4898 |
2 |
NGK Insulators, Ltd. | 4589 |
2 |
Japan Display Inc. | 6202 |
2 |
Purdue Research Foundation | 3277 |
2 |
Quest Integrated, LLC | 38 |
2 |
Sun Yat-sen University | 584 |
2 |
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | 6132 |
2 |
Jorgenson, Robbie | 2 |
2 |
The Regents of the University of California | 18943 |
1 |
FUJIFILM Corporation | 27102 |
1 |
Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 27812 |
1 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5132 |
1 |
The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University | 6054 |
1 |
Showa Denko K.K. | 2539 |
1 |
Northwestern University | 3112 |
1 |
Aixatech GmbH | 2 |
1 |
Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 2226 |
1 |
Autres propriétaires | 21 |